Промышленность выпускает много типов полупроводниковых приборов — диодов и транзисторов,  различных  по назначению и конструкции, параметрам и характеристикам.

Полупроводниковые диоды (з) как устройства с одним электрическим^ — п) пере­ходом делятся на точечные и плоскостные. Первые используются для выпрямления и де­тектирования высокочастотных сигналов и сигналов промежуточной частоты в диапазоне до нескольких сотен мегагерц вторые — для выпрямления переменных токов низкой час­тоты. По мощности полупроводниковые диоды подразделяются на маломощные (выпрям­ленный ток до 0,3 А), средней мощности (ток 0,3г.. 10 А) и большой мощности (ток бо­лее 10 А).

Для выпрямления переменного тока частотой до 1000 Гц промышленностью выпуска­ются полупроводниковые выпрямители, собранные по мостовой схеме (б). К числу дио­дов специального назначения относятся: опорные диоды „или стабилитроны (в), исполь­зуемые для стабилизации напряжения; переключающие диоды, или тиристоры (г), приме­няемые в силовых цепях; фотодиоды {д), используемые в светочувствительной аппарату­ре и оптоэлектронике; светодиоды (е) — приборы, излучающие свет при прохождении че­рез них тока в прямом направлении и применяемые в качестве световых индикаторов. Комбинация гальванически развязанных светодиода и фотодиода, заключенных в один кор­пус, — диодный оптрон (ж) используется для преобразования световой энергии излуча-! теля в электрическую.

Транзисторы (з, и) как устройства с одним или несколькими р — п переходами, пригод­ные для усиления сигналов, делятся на биполярные и униполярные. К первым относятся те в которых используются носители зарядов двух типов (структуры р — п — р и п — р — п).

\По граничной частоте frp усиливаемых сигналов они бывают низкочастотные (^„^З МГц), среднечастотные (3 МГц <г"гр<30 МГц), высокочастотные (30 МГц <^ 300 МГц), а по максимальной мощности Ртах — малой (/этах<0,3 Вт), средней (0,3<Ятах1,5Вт)

В униполярных (однопереходные и полевые) транзисторах применяются носители заря­дов только одного знака — электроны или дырки.

Полупроводниковые приборы маркируются буквенно-цифровым кодом, содержащим элементы: первый — буква, означающая исходный полупроводниковый материал (герма­ний — Г, кремний — К, соединения галлия — А) ; второй — буква, определяющая класс при­бора (транзисторы биполярные — Т, полевые — П; диоды выпрямительные — Д, сверхвы­сокочастотные — А, варикапы — В, стабилитроны — С; тиристоры диодные — Н, триод-ные — У); третий — цифра от 1 до 9, устанавливающая назначение прибора (1 — маломощ­ные низкочастотные транзисторы; 2 — то же, среднечастотные; 3 — то же, высокочастот­ные; 4...6 — соответствующие транзисторы средней мощности; 7,.,9 — то же, большой мощности; диоды выпрямительные малой мощности обозначаются цифрой 1, средней мощ­ности — 2, универсальные — 4); четвертый и пятый двузначное число от 01 до 99, озна­чающее номер разработки; шестой — букву, определяющую деление технологического ти­па на параметрические группы, а у стабилитронов — последовательность разработки.

У ГО и БЦО полупроводниковых приборов на схемах — такие, как показано на рис. а... и, справа и внизу. БЦО дополняется указанием типа используемого прибора, а буквы на УГО транзисторов (з...к) означают: Э — эмиттер, Б — база, К — коллектор, 3 — затвор, И — ис­ток, С —сток.